特許

J-GLOBAL ID：200903027759231679

強誘電体メモリ装置

発明者： 平野 博茂
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094649
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294743
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 強誘電体メモリ装置のメモリセルサイズを縮小する。【解決手段】 メモリセルトランジスタのソース領域S上に形成した導電部材6aおよび6cを強誘電体キャパシタの下部電極2’の側面に接触させることによって、下部電極2’とソース領域Sとの間の電気的導通を達成する。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルを備えた強誘電体メモリ装置であって、前記複数のメモリセルの各々は、強誘電体膜と、前記強誘電体膜を挟む下部電極および上部電極とを有するキャパシタと、導電部材を介して前記キャパシタの下部電極に電気的に接続されたメモリセルトランジスタとを含んでおり、前記導電部材が前記キャパシタの下部電極の少なくとも側面部分を前記メモリセルトランジスタのソース領域に接続していることを特徴とする強誘電体メモリ装置。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (23件)：

5F001AA17 ,  5F083AD21 ,  5F083FR03 ,  5F083GA09 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA56 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA01 ,  5F083MA04 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA28