特許

J-GLOBAL ID：200903027759557035

固体撮像装置

発明者： 板野 哲也 ,  山下 雄一郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  志村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-112952
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319837
出願日： 2003年04月17日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】測距・撮像兼用の固体撮像装置において、浮遊拡散部の容量の減少、および光電変換部の面積の増加によって感度および飽和電荷量を向上させる。【解決手段】第一の光電変換部13と第二の光電変換部14に分割された光電変換素子と、第一の光電変換部、第二の光電変換部それぞれに設けられた第一の転送MOSトランジスタ16、第二の転送MOSトランジスタ17と、信号電荷を受ける一つの浮遊拡散部15と、浮遊拡散部に接続された増幅部を含む画素を二次元状に配列した固体撮像装置において、第一の光電変換部は第一の転送MOSトランジスタおよび第二の転送MOSトランジスタを介して浮遊拡散部に接続されており、第二の光電変換部は第二の転送MOSトランジスタを介して浮遊拡散部に接続される構造を有し、第一、第二の転送MOSトランジスタは2層ポリゲート構造により構成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の光電変換部に分割された光電変換素子と、各光電変換部に対してそれぞれに設けられた転送用絶縁ゲート型トランジスタと、該転送用絶縁ゲート型トランジスタから信号電荷を受ける一つの浮遊拡散部と、を含む画素を二次元状に配列した固体撮像装置において、 前記複数の光電変換部のうち隣接する二つの光電変換部を第一及び第二の光電変換部とし、該第一及び第二の光電変換部に対応して設けられた前記転送用絶縁ゲート型トランジスタを第一及び第二の転送用絶縁ゲート型トランジスタとするとき、前記第一及び第二の転送用絶縁ゲート型トランジスタは隣接して配され、 前記第一の光電変換部は前記第一の転送用絶縁ゲート型トランジスタを介して前記浮遊拡散部に信号電荷を転送し、前記第二の光電変換部は前記第一及び第二の転送用絶縁ゲート型トランジスタを介して前記浮遊拡散部に信号電荷を転送してなる固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L27/146 ,  H04N5/335

FI (2件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 U

Fターム (17件)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA22 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX41 ,  5C024EX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5C024GX18 ,  5C024GY35 ,  5C024HX40