特許

J-GLOBAL ID：200903027762261260

スパッタリング装置および堆積膜形成方法

発明者： 高木 智 ,  寺西 康治
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-173939
公開番号（公開出願番号）：特開2001-355068
出願日： 2000年06月09日
公開日（公表日）： 2001年12月25日
要約：

【要約】【課題】 任意形状の被成膜部材上に膜厚が極めて均一な堆積膜を形成する。【解決手段】 ターゲット12、およびこれを保持するターゲットホルダ11を有するで構成されたターゲット電極10に対向する位置に被成膜用レンズ4dが配置されている。制御部18により制御され、高周波電力を供給する高周波電源15およびインピーダンス整合回路16を有する高周波電力供給系14と、高周波電力の位相を制御する可変コンデンサ17とは、ターゲット電極10を介して接続されている。このため、高周波電力はターゲット電極10の一端側から供給されることとなる。可変コンデンサ17によりターゲット12上の高周波電力の位相が第4の電圧分布204のように制御されることで、被成膜用レンズ4dの中央部分と周辺部分のスパッタレートとに差が生じ、均一な膜厚の堆積膜が形成される。

請求項（抜粋）：

容器内に配置されたターゲット電極の前面側にプラズマを発生させるための高周波電力を供給する高周波電力供給手段を有するスパッタリング装置において、前記高周波電力供給手段により供給される前記高周波電力の周波数を制御する制御手段を有し、前記制御手段は、被成膜部材の表面と前記ターゲット電極との間の距離に応じてスパッタリングレートが変化するような電位分布を、前記高周波電力供給手段により供給する高周波の定在波によって発生させることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  G02B 1/11 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

C23C 14/34 U ,  C23C 14/34 S ,  H05H 1/46 A ,  H05H 1/46 M ,  G02B 1/10 A

Fターム (16件)：

2K009AA02 ,  2K009BB02 ,  2K009CC03 ,  2K009DD04 ,  2K009DD09 ,  2K009FF01 ,  4K029AA09 ,  4K029AA21 ,  4K029BA46 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC12 ,  4K029DC35 ,  4K029EA06 ,  4K029EA09