特許
J-GLOBAL ID：200903027764658494
固体撮像素子及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-237565
公開番号（公開出願番号）：特開2006-059873
出願日： 2004年08月17日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：
【課題】 半導体基体の表面側及び裏面側からも識別することができるアライメントマークを有する固体撮像素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基体4上に、半導体基体4に対してエッチング選択性を有する材料膜7を形成する工程と、材料膜7及び半導体基体4を貫通する穴12を形成する工程と、穴12内を含んで、アモルファスシリコン層或いは多結晶シリコン層14を形成する工程と、材料膜7上のアモルファスシリコン層或いは多結晶シリコン層14を除去する工程と、材料膜7を除去する工程とを有して固体撮像素子を製造する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
半導体基体内に光電変換素子が形成され、
前記半導体基体の表面側に設けられた絶縁層内に配線層が形成され、
前記光電変換素子に、前記配線層とは反対側より光が照射される構成の固体撮像素子であって、
前記半導体基体の所定の位置に、前記半導体基体の表面側から裏面側に貫通する穴が形成され、
前記穴内にアモルファスシリコン層或いは多結晶シリコン層が埋め込まれ、
前記アモルファスシリコン層或いは多結晶シリコン層が前記半導体基体よりも突出して形成されている
ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
4M118AA01
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA02
, 4M118CA09
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FA06
, 4M118GA02
, 4M118GC07
, 4M118GC14
, 4M118GD04
, 4M118GD07
