特許

J-GLOBAL ID：200903027766005412

薄膜パターン製造方法

発明者： 桑原 和広 ,  森 祐二 ,  三上 佳朗
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-270458
公開番号（公開出願番号）：特開平5-080530
出願日： 1991年09月24日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 大面積の基板1を用いた場合でも、高いスループットを有し、かつ、マスクパターン5のつなぎ合わせの必要がない薄膜パターン製造方法の提供。【構成】 基板1上に薄膜2を装着させた後、薄膜2上にマスクパターン5を形成配置し、次いで露出している薄膜2部分をエッチングにより除去して薄膜2のパターニングを行なう薄膜パターン製造方法において、薄膜2を装着させた基板1上に有機樹脂を全面に均一に塗布することにより有機樹脂層3を形成し、さらに、マスクパターン5と同一の凹凸を有し、かつ、基板1とほぼ同一寸法のスタンパ4を用いて有機樹脂層3の型押しを行なうことにより、薄膜2上にマスクパターン5を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜を装着させた後、前記薄膜上にマスクパターンを形成配置し、次いで露出している薄膜部分をエッチングにより除去して前記薄膜のパターニングを行なう薄膜パターン製造方法において、前記薄膜を装着させた基板上に有機樹脂を全面に均一に塗布することにより有機樹脂層を形成し、さらに、マスクパターンと同一の凹凸を有し、かつ、前記基板とほぼ同一寸法のスタンパを用いて前記有機樹脂層の型押しを行なうことにより、前記薄膜上にマスクパターンを形成することを特徴とする薄膜パターン製造方法。

IPC (5件)：

G03F 7/26 ,  C23F 1/00 102 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302 ,  H05K 3/06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-054569
  
• 特開平2-217233
  
• 特開平1-231054
  
• 特開平2-110841