特許
J-GLOBAL ID：200903027770238642
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-172739
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037310
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】 透明電極の腐食溶解を防止でき、製造プロセス上の制約を抑制でき、しかも量産性に優れたものとする。【構成】 アルミニウムなどからなるドレイン電極24をパターン形成する際、ITOからなる透明電極18はコンタクトホール22を有する第2(層間)絶縁膜19にて覆われており、かつ、そのコンタクトホール22がドレイン電極24で塞がれている。よって、ドレイン電極24をエッチングする際のマスクとしてのポジ型フォトレジストに対する通常の現像液(アルカリ水溶液)中で透明電極18が溶解することがなく、また使用が簡便で解像度の高いポジ型フォトレジストを使用することができる。
請求項（抜粋）：
第1絶縁膜を挟んで一方に形成されたゲート電極と、第1絶縁膜を挟んで他方に、該ゲート電極と対向する部分をチャネル領域とし、かつ、該チャネル領域の両側を各々コンタクト領域として形成された半導体膜と、該ゲート電極を覆って該第1絶縁膜の一方側に形成された第2絶縁膜と、該第1絶縁膜および該第2絶縁膜を貫通する第1コンタクトホールを介して片方のコンタクト領域に接続させたソース電極と、該第1絶縁膜および該第2絶縁膜を貫通する第2コンタクトホールを介してもう片方のコンタクト領域に接続させたドレイン電極と、該第1絶縁膜と該第2絶縁膜との間に形成され、該第2絶縁膜を貫通する第3コンタクトホールを介して該ドレイン電極に接続された透明電極とを具備する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, G02F 1/136 500
, H01L 21/316
