特許
J-GLOBAL ID：200903027773591033
炭化ケイ素薄膜および炭化ケイ素薄膜積層基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
関 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-229678
公開番号（公開出願番号）：特開平9-052797
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】 膜中に欠陥の少ない炭化ケイ素薄膜および炭化ケイ素薄膜積層基板、特に、半導体製造、微細加工などにおいて利用されるβ型低温型結晶多形、あるいは単結晶、多結晶、アモルファス等の構造を有する炭化ケイ素薄膜および炭化ケイ素薄膜積層材料を安全に量産する方法を提供する。【解決手段】 薄膜積層法により基板上に炭素とケイ素からなる炭化ケイ素薄膜を積層した後さらに、薄膜を加熱処理する。加熱処理の温度が炭化ケイ素薄膜の積層時の温度以上であり、かつ前記基板が溶融する温度以下であることが好ましい。また、基板がケイ素を含む基板であると膜特性の良好な薄膜を得ることができ、また加熱温度は850°C以上かつ1400°C以下であることがより好ましい。
請求項（抜粋）：
薄膜積層法により基板上に炭素とケイ素からなる炭化ケイ素薄膜を積層した後さらに、薄膜を加熱処理することを特徴とする炭化ケイ素薄膜および炭化ケイ素薄膜積層基板の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 29/36
, C23C 16/42
, C23C 16/56
, C30B 25/14
, H01L 21/205
C30B 29/36 A
, C23C 16/42
, C23C 16/56
, C30B 25/14
, H01L 21/205
