特許
J-GLOBAL ID：200903027773616133
薄膜トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-277761
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106597
出願日： 1993年10月08日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】トランジスタ特性を劣化させることなく高速成膜速度でゲート絶縁層である窒化シリコン膜の生成を可能にし、スループットの向上を図る。【構成】ゲート絶縁層である窒化シリコン(SiN)膜が、低速生成膜4と高速生成膜3を含み、低速生成膜を介在させることでゲート絶縁層とその隣接層との界面特性を改善し、高速生成速度での窒化シリコン膜の生成を可能にする。
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁層である窒化シリコン(SiN)膜が、低速生成膜と高速生成膜を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/318
