特許
J-GLOBAL ID：200903027774405292
セラミック配線基板上へのAu導体形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
厚田 桂一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-328994
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164110
出願日： 1992年11月16日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 セラミック配線基板上に良好な接着強度で高密度にAu導体を形成せしめる。【構成】 セラミック基板上に厚膜Cuペーストを用いて粗邸の配線パターンを塗布し、乾燥し、非酸化雰囲気で焼成し、得られたCu導体パターンの全体又は一部の表面に無電解AuめっきでAu導体層を形成せしめる。【効果】 Au導体層の接着強度が従来のCu導体と同様であり、微細なパターンのAu導体が形成できる。
請求項（抜粋）：
セラミック配線基板上へAu導体を形成させる方法において、セラミック基板表面に厚膜Cuペーストを用いて、所定の配線パターンをスクリーン印刷又はディスペンサにて塗布し、乾燥し、非酸化雰囲気において 600〜750°Cで焼成した後、該Cu導体パターン全体もしくは一部の表面を無電解Auめっき液を用いてAuめっきすることを特徴とするセラミック配線基板上へのAu導体形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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