特許
J-GLOBAL ID：200903027774822853
半導体発光装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-266396
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198895
出願日： 1992年10月06日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：
【要約】【目的】 アナログ光伝送用のレーザに関し,レーザのチャーピング幅を広げて, フアイバ伝送時のCNR の劣化を抑制することと,活性層への電流集中を改善して歪を低減することを目的とする。【構成】 1)活性層上のクラッド層の不純物濃度が該クラッド層の面内で不均一に分布され,導波路内の屈折率分布が不均一に形成されている,2)前記クラッド層上に該クラッド層より高濃度の半導体層を被着し,該半導体層から固相拡散により不純物を不均一に導入する,3)n-InP からなる基板 1上に光ガイド層3, 活性層 4, p-InP からなる第1クラッド層 5, p+ -InGaAsPからなるキャップ層 6を順次成長し,該キャップ層から該第1クラッド層に不純物を固相拡散する,4)前記キャップ層 6として, p+ -InGaAsPに代わって p+ -InGaAs を用いるように構成する。
請求項（抜粋）：
活性層上のクラッド層の不純物濃度が該クラッド層の面内で不均一に分布され,導波路内の屈折率分布が不均一に形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
引用特許：
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