特許

J-GLOBAL ID：200903027776497097

埋め込み酸化膜を有するシリコン基板の製造方法

発明者： 浜口 功 ,  日月 應治 ,  矢野 孝幸
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-132313
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335847
出願日： 1994年06月14日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、酸素イオン注入とその後の熱処理によってシリコン基板の内部に埋め込み酸化膜を有するシリコン基板の製造において、良好な結晶性を確保しつつ表面シリコン層を薄膜化する方法を与える。【構成】 酸素イオン注入2に引き続いて、アズインプラウェハの表面シリコン層4の適当な膜厚をたとえばドライエッチングによってエッチオフし、その後高温熱処理を施すことによって、表面シリコン層6が薄膜化された埋め込み酸化膜7を有するシリコン基板1を製造する。

請求項（抜粋）：

酸素イオン注入と熱処理過程によって、単結晶シリコン基板中に埋め込み酸化膜を有するシリコン基板の製造方法において、単結晶シリコン基板の一表面から酸素イオンを注入する第1の工程と、それに引続き前記の注入された基板表面の膜厚を減少させる第2の工程と、さらに引続き基板を熱処理する第3の工程を備えた、埋め込み酸化膜を有するシリコン基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/265 J ,  H01L 21/76 R