特許

J-GLOBAL ID：200903027777442199

半導体装置の製造方法

発明者： 木村 秀樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-124328
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321544
出願日： 1997年05月14日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 固相拡散の際の不純物の増速拡散を最小限に抑えながら、浅く・低抵抗な接合を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板1上にゲート絶縁膜5を形成する工程と、このゲート絶縁膜5の上にゲート電極7を形成する工程と、このゲート電極7及びゲート絶縁膜5の側壁に保護膜9を形成する工程と、該半導体基板1および該ゲート電極7の上に3重量%以上の不純物を含有する酸化珪素膜11を形成する工程と、該半導体基板1に該不純物を高温短時間で熱拡散させる熱処理工程と、該酸化珪素膜11をエッチング除去する工程と、を具備することを特徴とする。また、上記熱処理工程における熱処理条件は、1000°Cで1秒以内、又は950°Cで3秒以内であることが好ましい。従って、浅く・低抵抗な接合を形成できる

請求項（抜粋）：

半導体基板上に3重量%以上の不純物を含有する酸化珪素膜を形成する工程と、該半導体基板に該不純物を高温短時間で熱拡散させる熱処理工程と、該酸化珪素膜を除去する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/225 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/225 M ,  H01L 21/225 R ,  H01L 29/78 301 P