特許

J-GLOBAL ID：200903027780872900

PTC抵抗素子の製造方法

発明者： 倉元 政道 ,  中島 義雄
出願人/特許権者： 株式会社明電舎
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164812
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013202
出願日： 1991年07月05日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 低融点ロー材を用いてセラミックスと金属との接合が確実にできるようにしたものである。【構成】 Inを含んだ低融点ロー材1の表面にInを蒸着させ、このInを蒸着したロー材1を使用して、V2O3セラミックス2と金属3とを接合する。V2O3セラミックスには(V0・996 Cr0・004)2O3+5wt%Feを使用し、金属には無酸素銅を使用して600°Cの温度で20分間のロー付け条件でロー付けを行う。

請求項（抜粋）：

(V1-xCrx)2O3(但し0≦x≦0.015)を仮焼した後、この仮焼物に焼結助剤としてFeを混合してから、この混合物を再び焼成してセラミックスを得た後、表面にInが蒸着された低融点ロー材を使用して600°C以下の温度で前記セラミックスと金属とを接合してなることを特徴とするPTC抵抗素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01C 7/02 ,  H01C 17/00