特許
J-GLOBAL ID：200903027781374840
サーミスターとその抵抗値調整方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北條 和由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-215314
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045505
出願日： 1995年07月31日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】 製造後のサーミスターの抵抗値の調整を可能とし、所望の抵抗値を有するサーミスターを歩留り良く製造できるようにする。【解決手段】 サーミスター素体21は、温度により抵抗値が変化するサーミスター層11、11...の積層体からなり、このサーミスター層11、11...の層間に互いに対向して複数対の内部電極13、14が形成されている。サーミスター素体21の端部には、前記内部電極13、14に各々導通した外部電極23、25を有する。前記内部電極13、14の間隙部分に対応するサーミスター素体21の側面に切欠部7を設け、両外部電極23、25の間に表れる抵抗値を増大させ、その抵抗値を調整する。例えば、予めサーミスターの抵抗値を測定し、所定の抵抗値の段階毎にランク付し、このランク毎に切欠部7の切込み幅及び切込み深さの何れかを変えて、抵抗値を所定の値に調整する。
請求項（抜粋）：
温度により抵抗値が変化するサーミスター層(11)、(11)...の積層体からなるサーミスター素体(21)と、このサーミスター素体(21)の各々のサーミスター層(11)、(11)...の層間に形成され、互いに対向した複数対の内部電極(13)、(14)と、この内部電極(13)、(14)に各々導通し、サーミスター素体(21)の両端部に各々形成された外部電極(23)、(25)とを有するサーミスターにおいて、前記サーミスター素体(21)に切欠部(7)を設けたことを特徴とするサーミスター。
IPC (3件)：
H01C 7/02
, H01C 7/04
, H01C 17/24
H01C 7/02
, H01C 7/04
, H01C 17/24 C
