特許

J-GLOBAL ID：200903027785018878

半導体素子のフリップチップ実装方法

発明者： 西山 龍二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-319347
公開番号（公開出願番号）：特開平11-154688
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：

【要約】【課題】 超小型、軽量機器に用いられる導電性樹脂を用いたフリップチップ実装において、半導体素子と配線基板との接続部で発生するクラック、接続不良を改善し接続抵抗増大の発生による不良を改善し、高歩留まり、長期高信頼性を確保することを目的とする。【解決手段】 接続加熱保持過程12、検査過程14、封止過程15を導電性樹脂のガラス転移点温度より略40°C減じた温度以上の高温状態で行うことにより、半導体素子と配線基板との熱膨張係数差による寸法変化を小さくする。これによって接続部における、導電性樹脂のずれ、クラック、界面外れを無くし、安定した接続状態を実現できる。

請求項（抜粋）：

半導体素子に設けたバンプと配線基板電極とを導電性樹脂で加熱接着する接続工程と、半導体素子と配線基板との間隙に封止樹脂を封止する封止工程と、封止樹脂を加熱接着する封止加熱工程とを有する半導体素子のフリップチップ実装方法であって、接続工程の加熱終了時点から封止加熱工程の加熱終了時点までの間の工程温度を接続工程終了後の導電性樹脂のガラス転移点温度より略40°C減じた温度以上の温度に保持するようにしたことを特徴とする半導体素子のフリップチップ実装方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 R