特許

J-GLOBAL ID：200903027787772375

非単結晶シリコン薄膜の製造方法

発明者： 原 明人 ,  北原 邦紀
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-314595
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150835
出願日： 1998年11月05日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 非単結晶シリコン薄膜の製造方法に関し、高性能な多結晶シリコン薄膜トランジスタの形成に適した移動度の大きな大粒径の非単結晶シリコン薄膜を製造する。【解決手段】 非単結晶シリコン基板1の表面に非単結晶シリコン膜2を形成し、この非単結晶シリコン膜2の表面を平坦化したのち、平坦面側からイオンを注入し、次いで、可視光に対して透明な透明基板3に平坦面側を対向させて張り合わせたのち、非単結晶シリコン基板1をイオン注入面5において剥離することによって、透明基板3上に非単結晶シリコン薄膜8を残存させる。

請求項（抜粋）：

非単結晶シリコン基板の表面に非単結晶シリコン膜を形成し、前記非単結晶シリコン膜の表面を平坦化したのち、前記平坦化した平坦面側からイオンを注入し、次いで、可視光に対して透明な透明基板に前記平坦面側を対向させて張り合わせたのち、前記非単結晶シリコン基板をイオン注入面において剥離することによって、前記透明基板上に非単結晶シリコン薄膜を残存させることを特徴とする非単結晶シリコン薄膜の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 27/12 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04

FI (7件)：

H01L 27/12 B ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/265 W ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 D ,  H01L 31/04 X

Fターム (42件)：

2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092MA30 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051BA05 ,  5F051CA32 ,  5F051CB04 ,  5F051CB24 ,  5F051GA03 ,  5F051GA04 ,  5F051GA12 ,  5F051GA20 ,  5F052AA02 ,  5F052AA03 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052CA08 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052JA09 ,  5F052JA10 ,  5F110AA07 ,  5F110AA18 ,  5F110BB02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD07 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG47 ,  5F110GG58 ,  5F110PP03 ,  5F110PP08 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ30