特許

J-GLOBAL ID：200903027792812466

モノシラン誘導体またはジシラン誘導体、および、それを用いたシリコン含有膜の低温蒸着法

発明者： ワン,ツィーユン ,  スー,チョンイン ,  バウム,トーマス,エイチ.
出願人/特許権者： アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  大賀 眞司 ,  大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-534267
公開番号（公開出願番号）：特表2007-508307
出願日： 2004年10月06日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：

本発明は、ULSIデバイスおよびデバイス構造の製造のための低温(例えば<550°C)化学蒸着法によりシリコン含有膜を形成するケイ素前駆体組成物に関する。かかるケイ素前駆体組成物は、少なくとも1個のアルキルヒドラジン官能基と置換され、ハロゲン置換がない、少なくとも1種のシラン誘導体またはジシラン誘導体を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

少なくとも1個のアルキルヒドラジン官能基で置換されたシラン化合物またはジシラン化合物。

IPC (4件)：

C07F 7/10 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

C07F7/10 N ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  H01L21/318 B

Fターム (21件)：

4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VP02 ,  4H049VQ02 ,  4H049VQ33 ,  4H049VQ76 ,  4H049VR22 ,  4H049VR23 ,  4H049VR51 ,  4H049VU24 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030BA40 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AC07 ,  5F058BC08 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27