レジストパターン形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-124259
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312066
出願日： 1997年05月14日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】欠陥の少ない薄膜化レジストパターンを形成する。【解決手段】石英ガラス基板10上にCr膜11が形成されている基体上にポジレジスト12を膜厚約500nmになるよう塗布する。(図1(a))。次いで、レジスト12に対してパターンの露光を行う。(図1(b))。次いで、レジスト厚膜12の全面に対してエッチング(CDE)を行い、レジスト膜厚を280nmまで減少させる(図1(c))次いで、通常の現像と同様に、0.21N(TMAH)を用いてレジスト12の現像を行った(図1(d))。次いで、レジスト12をマスクとしてクロム膜11に対してドライエッチングを行った後(図1(e))、レジスト12を剥離する(図1(f))。

請求項（抜粋）：

基体上にレジスト膜を塗布する工程と、前記レジスト膜の所定領域を露光する工程と、前記レジスト膜の表面層を均一な厚さで除去し、レジスト膜の膜厚を薄くする工程と、薄くされた前記レジスト膜を現像する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/38 511 , G03F 7/26

FI (2件)：

G03F 7/38 511 , G03F 7/26

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