特許

J-GLOBAL ID：200903027794172286

半導体メモリ

発明者： 原田 最恵美 ,  赤司 俊一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-110840
公開番号（公開出願番号）：特開平6-259955
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】FIFOメモリの多品種,多機能化に対する設計工数の低減、部品評価,管理工数の低減をはかり、かつ機能展開を容易にする。【構成】メモリセルアレイ1を等価的複数のメモリセルブロックに分割する。モード切換信号MDに従って各メモリアクセスにつき、各メモリセルブロックから一つずつ所定数のセルを交互に選択するか又は同時に選択する。

請求項（抜粋）：

ファーストインファーストアウト型の半導体メモリであって、それぞれが複数ビットでなる複数のワードを有するメモリ部と、書込みクロック信号に応答して、書込みデータを前記メモリ部に第1のモードでは1ワードずつ書き込み第2のモードでは複数ワードずつ書き込む書込み制御回路と、読出しクロックに応答して、前記メモリ部からデータを前記第1のモードでは1ワードずつ読み出し前記第2のモードでは複数ワードずつ読み出す読出し制御回路とを備える半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C 7/00 318 ,  G06F 5/06 352

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-195794
  
• 特開昭62-133816