特許

J-GLOBAL ID：200903027796964902

メモリモジュールの製造方法

発明者： 栗谷 弘之 ,  萩原 伸介 ,  西 邦彦
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社 ,  株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-127090
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338587
出願日： 1993年05月28日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 コンデンサの搭載が不要でメモリ素子の実装密度の高いメモリモジュールを提供すること。【構成】 平板状キャビティを形成する成形型の内壁に接して2枚の金属箔を配置し、形成された空隙に高誘電率の無機充填剤を配合した熱硬化性の成形材料を注入・硬化させることにより得られた両面金属箔張積層板に、電源回路およびグランド回路パターンを形成し、更にプリプレグ又は接着フィルムを介して信号層となる金属箔を積層した後、表層回路パターンおよびめっきスルーホール等を形成し、その両面または片面に2個以上のメモリ素子を搭載する。

請求項（抜粋）：

平板状キャビティを形成する成形型の内壁に接して2枚の金属箔を配置し、形成された空隙に高誘電率の無機充填剤を配合した熱硬化性の成形材料を注入・硬化させることにより得られた両面金属箔張積層板に、電源回路およびグランド回路パターンを形成し、更にプリプレグ又は接着フィルムを介して信号層となる金属箔を積層した後、表層回路パターンおよびめっきスルーホール等を形成し、その両面または片面に2個以上のメモリ素子を搭載することを特徴とするメモリモジュールの製造方法

IPC (5件)：

H01L 25/10 ,  H01L 25/11 ,  H01L 25/18 ,  H05K 1/03 ,  H05K 3/46