半導体装置の素子分離膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-067755
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004136
出願日： 1997年03月21日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】素子分離の特性及び素子の電気的特性を向上し得る半導体装置の素子分離膜の形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板30の一面に食刻マスク34を用いてトレンチを形成する。前記トレンチを絶縁物質層で埋め立て、半導体基板30及び絶縁物質層にストレスによる欠陥が生じない熱酸化条件で前記トレンチの内壁と絶縁物質層との間に補充酸化膜39を形成した後、前記食刻マスク34を取り除く。これによって、トレンチの縁部のプロファイルを丸く改善する上に、トレンチの側壁部が露出されることも防止し得る。従って、ハンプ現象、逆狭幅効果及びゲート酸化膜の薄膜化現象などが防止でき、よって素子の電気的特性及び素子分離の特性を向上し得る。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一面にトレンチを形成する第1段階と、前記トレンチを絶縁物質層で埋め立てる第2段階と、トレンチが絶縁物質で埋め立てられた前記基板の全面を酸化雰囲気に露出することによって前記トレンチの内壁と絶縁物質層との間に補充酸化膜を形成する第3段階とを備えることを特徴とする半導体装置の素子分離膜の形成方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-322861 出願人：株式会社東芝
特開昭61-176133
特開昭64-035911

前のページに戻る