特許

J-GLOBAL ID：200903027805597195

半導体レーザ装置

発明者： 尾崎 孝 ,  永嶋 憲二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-153339
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353552
出願日： 2001年05月23日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】 低出力域及び高出力域の双方で、並びに低出力域から高出力域への移行域で、レーザ出力対モニタPDの出力電流特性が線型の半導体レーザ素子を備えた半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 本レーザカプラ10は、PDIC12と、PDIC上に集積された半導体レーザ素子14及びPinPD16と、半導体レーザ素子の出射方向前方でPDIC上に設けられ、半導体レーザ素子のレーザ光の光出力を検出して出力制御用の信号を出力するモニタPD18とを有する。モニタPDの受光面の平面パターンは、高出力時のレーザ光の放射角Θpall2 と同じ角度を成す2個の側辺で区画された台形形状になっている。放射角(Θpall)は、低出力時に広く、高出力時に狭くなるので、このような台形形状の受光面パターンを有するモニタPDは、低出力時には、半導体レーザ素子のレーザ光の一部を受光することができない。従って、半導体レーザ素子とモニタPDのカップリング(F1 )が小さくなる一方、F2 は一定であるので、ImL=1に調整することができる。

請求項（抜粋）：

低出力域及び高出力域の双方で動作して、レンズを含む光学系にレーザ光を出射し、高出力域で動作する際の遠視野像の横方向の放射角(以下、基準放射角と言う)が低出力域で動作する際の遠視野像の横方向の放射角より小さい半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の出射面側に設けられ、半導体レーザ素子の光出力を検出して出力制御用の信号を出力するモニタ・フォトダイオードとを備える半導体レーザ装置において、半導体レーザ素子の低出力域のモニタ・フォトダイオードのカップリング開口と高出力域のモニタ・フォトダイオードのカップリング開口との比率を、半導体レーザ素子の低出力域の対レンズのカップリング開口と高出力域の対レンズのカップリング開口との比率に等しくするようにしたことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (4件)：

H01S 5/026 612 ,  G11B 7/125 ,  G11B 11/105 551 ,  H01L 31/12

FI (4件)：

H01S 5/026 612 ,  G11B 7/125 C ,  G11B 11/105 551 A ,  H01L 31/12 H

Fターム (23件)：

5D075CD06 ,  5D075CD19 ,  5D119AA09 ,  5D119BA01 ,  5D119BB03 ,  5D119BB05 ,  5D119FA05 ,  5D119FA25 ,  5D119HA13 ,  5D119HA14 ,  5D119HA54 ,  5F073AB27 ,  5F073AB29 ,  5F073BA04 ,  5F073EA15 ,  5F073EA27 ,  5F073FA02 ,  5F073FA21 ,  5F089AA02 ,  5F089BA04 ,  5F089CA15 ,  5F089CA16 ,  5F089FA03