特許

J-GLOBAL ID：200903027806128881

プラズマ膜堆積装置

発明者： 鈴木 直樹 ,  宝珍 隆三
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233365
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084804
出願日： 1992年09月01日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 ステップカバレージ特性,平坦性に優れた良質なSiO2膜を低温で形成することができるプラズマ膜堆積装置を提供することを目的とする。【構成】 プラズマ膜堆積装置において、反応ガスとしてTEOSガスとO3(オゾン)ガスを用いることにより、低温での良質な膜形成が可能となる。また、高周波電極15を100〜200°C程度に加熱することにより、基板22上でのO3(オゾン)ガスの分解をより効果的に行うことができるので低温で平坦性に優れた良質なSiO2膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

反応ガス導入口と真空排気口を有する反応室と、前記反応室内に基板を載置し加熱するための加熱機構を有する基板台と、前記基板台に対向した位置に配置された高周波電極とからなり、前記反応ガス導入口から有機シリコンソースガスとオゾンガスを導入することを特徴とするプラズマ膜堆積装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31