特許
J-GLOBAL ID：200903027806703517
ダイヤモンド膜の製造装置および製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
碓氷 裕彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-058824
公開番号（公開出願番号）：特開平5-213694
出願日： 1991年03月22日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：
【要約】【目的】 合成速度を速くした上で、高純度のダイヤモンド膜を形成する。【構成】 棒状電極7とシリンダ状電極10との間に発生されたアーク放電に炭素源ガス導入口19よりメタンガスと水素ガスの混合ガスを導入してガスプラズマとし、このガスプラズマを絞り部18を通過させることでプラズマジェットとして基板2に吹きつける。このとき、棒状電極7と第3の電極22の間にはプラズマ電流用電源26が第3の電極22側の電位を正電位として印加されており、また、基板支持台3もプラズマ電流用電源26の正電位が印加されている。従って、プラズマ中に電流が流れ、水素及び炭化水素が解離し易くなり、高純度のダイヤモンド膜が高速で析出形成できるようになる。また、第3の電極22と基板2が同電位とされているため、プラズマ中を流れる電流により基板温度が上昇することもない。
請求項（抜粋）：
所定真空度に維持される真空容器と、互いに対向するように前記真空容器内に配置された正極および負極と、前記正極および負極に電気接続し、該正極および負極との間の空間にアーク放電を起こすべく所定の電力を供給するアーク放電用電源と、前記アーク放電に少なくとも水素及び炭素を含有する原料ガスを供給してガスプラズマを発生し、該ガスプラズマをその下流に配置された基板に吹きつけるガス供給手段と、前記ガスプラズマが発生する領域側と前記基板側との間に設置された第3の電極と、この第3の電極から前記ガスプラズマを介して前記正極あるいは負極に電流を流すためのプラズマ電流用電源と、前記基板から前記第3の電極に正電流が流れるのを禁止すべく、前記基板と前記第3の電極が同電位あるいは前記基板より前記第3の電極が高電位となるように前記基板の電位を設定する基板電位設定手段とを備えることを特徴とするダイヤモンド膜の製造装置。
IPC (2件)：
前のページに戻る
