特許
J-GLOBAL ID：200903027808186781
マグネトロンスパッタリング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205076
公開番号（公開出願番号）：特開平7-305166
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 低圧力で、小投入電力密度のマグネトロンスパッタリングを実現することである。【構成】 マグネトロンスパッタリング方法において、カソード表面上の空間は非平衡マグネトロン形をもつ磁界により左右され、投入電力は最小自己スパッタリング投入電力以上の値をもち、動作圧力は最大自己スパッタリング圧力よりも低い値をもち、カソード物質はスパッタリングされる原子とプロセス雰囲気中で安定してスパッタリングされる。プロセスガスの圧力は1.5×10-2Paよりも低く、カソードの投入電力負荷は2〜250W/cm2の範囲にある。非平衡マグネトロン形をもつ磁界は、少なくとも2つの磁界、すなわちマグネトロン型の磁界と非平衡磁界の組合せにより得られる。スパッタリングされる物質は銅、銀、金、鉛、などの元素またはこれらの合金である。
請求項（抜粋）：
磁界中の異常グロー放電中、アノードおよび/または真空室に対して負の直流電圧が印加されたカソードから物質をマグネトロンスパッタリングする方法において、スパッタリングされるカソード表面上の空間は、非平衡マグネトロン状の磁界により影響を受け、上記放電に供給される投入電力は、少なくとも最小自己スパッタリング投入電力以上の値をもち、選択されたプロセスガスの動作圧力は、最大自己スパッタリング圧力よりも低い値をもち、上記カソード物質は、スパッタリングされた原子の雰囲気中あるいは上記スパッタリングされた原子と上記プロセスガスとの混合雰囲気中で持続される安定した自己スパッタリング放電中でスパッタリングされることを特徴とするマグネトロンスパッタリング方法。
IPC (4件)：
C23C 14/35
, C22C 9/01
, C22C 9/04
, C23C 14/34
