特許

J-GLOBAL ID：200903027808407605

半導体の配線構造およびその製造方法

発明者： 李 昌宰
出願人/特許権者： エル・ジー・セミコン・カンパニー・リミテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217297
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306694
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【課題】 基板上に第1金属の導電薄膜を形成し、該導電薄膜表面上に第2金属を含有し第1金属と反応した後第2金属化合物に変換されたパッシベーション層を形成し、半導体の導電性を高度化して信頼性を向上し得る半導体の配線構造およびその製造方法を提供しようとするものである。【解決手段】 基板上に絶縁層と拡散障壁層とが順次積層され、該拡散障壁層上面に第1金属の導電薄膜が積層され、該導電薄膜表面上に第2金属を含有し前記第1金属と反応した後第2金属化合物に変換された金属化合物層および金属窒化物膜を有するパッシベーション層が形成される半導体配線構造である。

請求項（抜粋）：

半導体の配線構造であって、基板上に積層される絶縁層と、前記絶縁層上面に形成される第1金属の導電薄膜と、前記第1金属の導電薄膜表面上に第2金属を含有し前記第1金属と反応した後第2金属化合物に変換して形成されるパッシベーション層と、を備えた半導体配線構造。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 21/88 S ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-350938
  
• 特開昭64-059938