特許
J-GLOBAL ID：200903027810377675
半導体基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
友松 英爾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-189337
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013442
出願日： 1991年07月03日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、絶縁基板上に導電性薄膜からなる電極、それを蔽う絶縁膜、その上に再結晶した半導体膜という構成の半導体基板において、その製造に際し、簡単な構成で、複雑なレーザ光学系を使用することなく再結晶化した半導体膜の面積を拡大することの可能な電極を有する半導体基板の提供を目的とする。【構成】 本発明は、絶縁基板上に導電性薄膜からなる電極、それを蔽う絶縁膜、その上に再結晶した半導体膜という構成の半導体基板において、電極として光反射率が相違する少なくとも2種類の導電性薄膜から成る電極、あるいはビームに対して透明な電極と、該透明電極の一部を蔽うように形成したビームに対して不透明な導電性薄膜からなる電極を使用することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ビームの照射によって、半導体層の温度分布が、その中心領域に温度の極小部を設定でき、双峰型になるように、光反射率が相違する少なくとも2種類の導電性薄膜が配置された電極と、該電極上に形成した絶縁膜と、該絶縁膜上にビームアニールによって再結晶化した半導体膜を設けてなる半導体基板。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/20
