特許
J-GLOBAL ID：200903027810588331
回路基板およびその形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-282661
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132667
出願日： 1992年10月21日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：
【要約】【目的】 放熱性に優れた低コストのインナ・ウ ゙ァイア・ホ-ル基板を得ることを目的とする。【構成】 出発基材が多孔質の層間絶縁基材を挟んで、セラミック基板上の回路導体と銅箔層とが層間絶縁基材の孔部に埋設した導電性ペ-ストを介してインナ・ウ ゙ァイア・ホ-ル接続した回路基板。【効果】 スルホ-ルメッキ技術を用いることなく放熱性に優れた低コストのインナ・ウ ゙ァイア・ホ-ルを備えた回路基板を実現することができる。
請求項（抜粋）：
層間絶縁基材を挟んでセラミック基板上の回路導体層と銅箔層とが層間絶縁基材の孔部に埋設した導電性ペ-ストを介してインナ・ウ ゙ァイア・ホ-ル接続してあることを特徴とする回路基板。
引用特許：
前のページに戻る
