特許
J-GLOBAL ID：200903027811145174
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-240971
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082467
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：
【要約】【目的】本発明は、高集積度のダイナミックRAMのように高低差のある絶縁膜に複数のコンタクトホールが形成された半導体装置に関し、高低差の少ないコンタクトホールが形成される部分の面積を増大させることなく、高低差のあるコンタクトホールを確実に形成することができる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】蓄積電極SEを形成する前の形成されるメモリセル内のビット線コンタクトBLCや蓄積電極コンタクトSECは、その平面形状の縦横比を1とし、蓄積電極SEを形成した後に形成される裏打ち用ワード線ALがワード線WLにコンタクトするワード線コンタクトWCや、活性領域ARのn+ 不純物領域26にコンタクトするコンタクトホールは、その平面形状の縦横比を1.5〜2.5の長方形形状とするよう構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、第1のコンタクトホールを有する第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に形成され、前記第1のコンタクトホールを介して前記半導体基板にコンタクトする第1の導電層と、前記第1の導電層上に形成され、第2のコンタクトホールを有する第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に形成され、前記第2のコンタクトホールを介して前記第1の導電層にコンタクトする第2の導電層とを有する半導体装置において、前記第1のコンタクトホールの平面形状は縦横比が約1.0であり、前記第2のコンタクトホールの平面形状は縦横比が1.5から2.5の範囲内であることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/28
, H01L 21/90
, H01L 27/04
, H01L 27/10 311
