特許

J-GLOBAL ID：200903027812831527

半導体集積回路

発明者： ▲高▼橋 廣秋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-271725
公開番号（公開出願番号）：特開平7-131316
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 過電流検出機能を有する半導体集積回路を、回路構成の簡単化,検出精度の向上および製品バラツキの低減化が図れるようにする。【構成】 過電流検出回路10は、駆動電圧VD を発生するゲート駆動回路11と、ゲート駆動回路11からの駆動電圧VD により動作する、ソースが出力端子22を介して外部負荷抵抗31の一端に接続された出力用電界効果トランジスタ12と、出力用電界効果トランジスタ12のソースと外部負荷抵抗31との間の電流径路を囲むように設けられた検出用コイル13と、基準電圧V0 を発生する基準電圧発生回路14と、検出用コイル13に発生した誘導起電力と基準電圧V0 とを比較するオペアンプ15とを備えている。

請求項（抜粋）：

駆動電圧を発生するゲート駆動回路と、該ゲート駆動回路からの前記駆動電圧により動作する、一方の拡散層が外部負荷抵抗に接続された出力用電界効果トランジスタと、該出力用電界効果トランジスタの前記一方の拡散層と前記外部負荷抵抗との間の電流径路を囲むように設けられた検出用コイルと、該検出用コイルに発生した誘導起電力と所定の基準電圧とを比較するオペアンプとを備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (10件)：

H03K 17/08 ,  G01R 31/26 ,  G05F 1/10 304 ,  G05F 1/56 320 ,  G05F 1/56 330 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H02M 1/00 ,  H02M 3/00