特許

J-GLOBAL ID：200903027813007542

半導体装置およびその製造方法

発明者： 一色 海平
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-375635
公開番号（公開出願番号）：特開2000-182915
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 マイクロマシン等で使われる、接合面に機能デバイスや構造体を有するような構成に容易に対応可能であって、機能デバイスや構造体が形成されている第1の基板と表面が鏡面となっている第2の基板とを極めて良好に貼り合わせ接合することの可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の基板1のダイシングライン12a,12b,12cのうち、第2の基板2との接合の開始部分からその反対側に向けた方向を接合の主進行方向Aとするときに、該主進行方向Aに沿った第1の基板1の中央部分のダイシングライン12aの第2の基板2との接合面積を前記主進行方向に沿った他の部分のダイシングライン12bの第2の基板2との接合面積よりも大きくしている。

請求項（抜粋）：

機能デバイスが形成されている第1の基板と、表面が鏡面となっている第2の基板とを貼り合わせ接合して構成される半導体装置において、前記第1の基板には、前記機能デバイスが第2の基板との貼り合わせ側の面内に複数個形成され、また、第1の基板において、複数個の機能デバイス間には、各機能デバイスの切り出しを行なうための領域としてのダイシングラインが設けられており、前記ダイシングラインには、前記第2の基板の鏡面となっている表面を前記第1の基板の機能デバイスが形成されている側の面に重ね合わせるときに、第2の基板と第1の基板との間の接合の進行パターンを制御するための凹凸形状が形成されていることを特徴とする半導体装置。