Cu薄膜作製方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木正次 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-132771
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329682
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 Cu-Seed膜となる第一の銅膜を被覆性が良好なCVD法によって成膜するCu-CVD工程と、当該第一の銅膜上に電解銅めっき法によって第二の銅膜を作製するめっき工程とを含むCu薄膜の作製方法において、第一の銅膜と、その上に電解銅めっき法によって作製された第二の銅膜との界面近傍に微細な空孔が生成されることを効果的に防止できるCu薄膜の作製方法を提案する。【解決手段】 Cu-Seed膜となる第一の銅膜(as depo.膜)を成膜するCu-CVD工程と、めっき工程との間に、前記第一の銅膜を、プラズマ、又は分子を熱分解して生成した遊離活性種のいずれかを使用した活性雰囲気に晒して改質を行う改質工程を介在させることによって課題を解決した。

請求項（抜粋）：

基体と、当該基体の所定の表面に第一の銅膜をCVD法によって成膜するCu-CVD工程と、当該第一の銅膜を電極とした電解銅めっき法によって当該第一の銅膜上に更に第二の銅膜を成膜するめっき工程とを含むCu薄膜作製方法において、前記Cu-CVD工程と、めっき工程との間に、前記第一の銅膜を活性雰囲気に晒して改質を行う改質工程を介在させることを特徴としたCu薄膜作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , C23C 16/18 , C25D 5/34 , C25D 7/12 , H01L 21/288 , H01L 21/768

FI (7件)：

H01L 21/285 C , H01L 21/285 301 Z , C23C 16/18 , C25D 5/34 , C25D 7/12 , H01L 21/288 E , H01L 21/90 C

Fターム (57件)：

4K024AA09 , 4K024AB02 , 4K024AB15 , 4K024BA09 , 4K024BB12 , 4K024DA10 , 4K024GA01 , 4K030AA11 , 4K030BA01 , 4K030CA04 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030HA03 , 4K030LA15 , 4M104BB17 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB33 , 4M104CC01 , 4M104DD22 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104DD52 , 4M104DD86 , 4M104DD89 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH01 , 4M104HH08 , 4M104HH13 , 5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP11 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ98 , 5F033WW03 , 5F033XX02 , 5F033XX08 , 5F033XX13

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