半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-210787
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066369
出願日： 1993年08月26日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】高密度DRAM等の半導体装置のメモリ容量部への適用が検討されているタンタル酸化膜のリーク電流特性を改善し、さらに、容量部面積の縮小化が進むなかで蓄積電荷量を確保するために、タンタル酸化膜をより薄膜化するための形成方法を提供する。【構成】DRAM等の超LSIに用いられるメモリ容量部の下部電極である多結晶シリコン電極13表面のシリコン自然酸化膜14を取り除き、化学気相反応法により高誘電体であるタンタル酸化膜16を形成し、そのタンタル酸化膜を酸化プラズマを用いて、600°C以下で酸化処理した後、少なくとも底部が窒化チタンを用いた上部電極17を形成し容量部を完成させる。

請求項（抜粋）：

DRAM等の超LSIに用いられるメモリ容量部の形成工程が、下部電極上に高誘電率を有する誘電体薄膜を形成する工程と、次いで、酸化雰囲気中で前記誘電体薄膜を熱処理する工程と、前記誘電体薄膜上に上部電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/314 , H01L 21/316 , H01L 21/8242 , H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-279540 出願人：日本電気株式会社
特開平4-199828

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