特許

J-GLOBAL ID：200903027822361006

シリコン単結晶の製造方法およびその装置

発明者： 山内 剛 ,  高橋 義則 ,  大久保 正道 ,  小島 清 ,  ▲は▼生 隆一
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 椎名 彊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-019749
公開番号（公開出願番号）：特開平5-221773
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月31日
要約：

【要約】【目的】 チョクラルスキー(CZ)法によるシリコン単結晶の製造に際して、シリコン単結晶における酸素析出挙動の制御ならびに結晶欠陥(OSFなど)の発生を防止する。【構成】 シリコン単結晶引上げ装置でシリコン単結晶を製造する際に、融液から引上げたシリコン単結晶の600〜350°Cの温度領域を冷却速度1.5°C/分以上200°C/分以下とすることを特徴とする。冷却速度を制御するために、シリコン単結晶の引上げ装置のプルチャンバー内に冷却装置を設けている。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶引上げ装置でシリコン単結晶を製造する際に、融液から引き上げたシリコン単結晶の600〜350°Cの温度領域の冷却速度を1.5°C/分以上200°C/分以下とすることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-208879
  
• 特開昭64-037490
  
• 特開昭63-319293
  
• 特開昭57-205397