特許
J-GLOBAL ID：200903027834636850
縦型ボート
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高 雄次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-263062
公開番号（公開出願番号）：特開平8-107081
出願日： 1994年10月03日
公開日（公表日）： 1996年04月23日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハのスリップの発生を大幅に低減し得る縦型ボートを提供する。【構成】 Si-SiCあるいはSi-SiC+CVD-SiCを基材とする少なくとも3本の支持部材1,2を所要間隔で平行に立設し、各支持部材に半導体ウエハ6を支持する多数のウエハ支持部7,8を所要間隔で突設した縦型ボートにおいて、前記各ウエハ支持部上に、半球状の単結晶シリコン9を上方凸となるように接着することにより、半導体ウエハを、これと同程度に高純度である単結晶シリコンを介在してウエハ支持部に支持し、ウエハ支持部を形成するSi-SiCあるいはSi-SiC+CVD-SiC材に直接接触することをなくし、半導体ウエハを汚染されにくくする。
請求項（抜粋）：
Si-SiCあるいはSi-SiC+CVD-SiCを基材とする少なくとも3本の支持部材を所要間隔で平行に立設し、各支持部材に半導体ウエハを支持する多数のウエハ支持部を所要間隔で突設した縦型ボートにおいて、前記各ウエハ支持部上に、半球状の単結晶シリコンを上方凸となるように若しくは板状の単結晶シリコンを上面が平面となるように接着し、又は各ウエハ支持部に、断面コ字状の単結晶シリコンを上面が平面となるように若しくは角筒状の単結晶シリコンを上面が平面となるように嵌合して接着したことを特徴とする縦型ボート。
IPC (4件)：
H01L 21/22 511
, B65D 85/86
, H01L 21/31
, H01L 21/68
