特許

J-GLOBAL ID：200903027842030480

レジスト構造物の製法

発明者： レカイ ゼチ ,  ホルスト ボルンデルフアー ,  エフア リツセル ,  ライナー ロイシユナー ,  ミヒアエル ゼバルト ,  ヘルムート アーネ ,  ジークフリート ビルクレ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-119178
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050286
出願日： 1991年04月22日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【構成】 基板上に、無水物基及びブロックされたイミド基又はフェノールヒドロキシ基を含むポリマーと露光時に強酸を生じる化合物の形の光活性成分とからなるフォトレジスト層を施し、このフォトレジスト層を像に応じて露光し、露光したフォトレジスト層を多官能性アミノ-又はヒドロキシシロキサンの水溶液又は水性アルコール溶液で処理し、こうして処理したフォトレジスト層を酸素含有プラズマ中でエッチングする。【効果】 操作が簡単で、酸素プラズマ中で高い選択性を有し、既存の通常の装置を使用することを可能とし、また特にDUV領域内で高い感光性を有する乾式現像可能の急傾斜の側面を有する高度に解像されたレジスト構造物が得られる。

請求項（抜粋）：

急傾斜の側面を有する高度に解像されたレジスト構造物を製造する方法において、-基板上に、無水物基及びブロックされたイミド基又はフェノールヒドロキシ基を含むポリマーと、露光時に強酸を形成する化合物の形の光活性成分とからなるフォトレジスト層を施し、-このフォトレジスト層を像に応じて露光し、-露光したフォトレジスト層を、多官能性アミノ-又はヒドロキシシロキサンの水溶液又は水性アルコール溶液で処理し、-こうして処理したフォトレジスト層を酸素含有プラズマ中でエッチングすることを特徴とする高度に解像されたレジスト構造物の製法。

IPC (9件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/029 ,  G03F 7/038 505 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/20 502 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/36 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/312

FI (2件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 569 H

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭60-241225
  
• 特開昭62-165650
  
• 特開昭62-229242
  
• 特開平3-083063
  
• 特開平3-152544
  
• 特開平2-309360