特許

J-GLOBAL ID：200903027845646440

単結晶四ほう酸リチウムの製造方法

発明者： 小松 隆一 ,  菅原 保
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-131702
公開番号（公開出願番号）：特開2003-034595
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 長期的に安定して動作し、長寿命を示し、加工性に富み、小型、軽量、低価格な光学変換素子を提供する。【解決手段】 溶融させた多結晶四ほう酸リチウム(Li2 B4 O7 )を所定の引き上げ方位でチョクラルスキー法で引き上げて単結晶四ほう酸リチウムを製造する方法において、融液表面と融液直上10mmの間の温度勾配を30°C/cm〜200°C/cm、それより上部の温度勾配を5°C/cm〜50°C/cm、引き上げ速度を0.1mm/時間〜2mm/時間で、引き上げ、屈折率変動が10-5/mm以下、および、転位密度が約1×103 個/cm2 以下の単結晶Li2B4 O7 を製造する。

請求項（抜粋）：

溶融させた多結晶四ほう酸リチウム(Li2 B4 O7 )を所定の引き上げ方位でチョクラルスキー法で引き上げて単結晶四ほう酸リチウムを製造する方法において、融液表面と融液直上10mmの間の温度勾配を30°C/cm〜200°C/cm、それより上部の温度勾配を5°C/cm〜50°C/cm、引き上げ速度を0.1mm/時間〜2mm/時間で、引き上げ、屈折率変動が10-5/mm以下、および、転位密度が約1×103 個/cm2以下の単結晶Li2 B4 O7 を製造することを特徴とする単結晶四ほう酸リチウムの製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/22 ,  C30B 15/00 ,  G02F 1/355 501

FI (3件)：

C30B 29/22 C ,  C30B 15/00 Z ,  G02F 1/355 501

Fターム (14件)：

2K002AB12 ,  2K002CA02 ,  2K002FA11 ,  2K002HA20 ,  4G077AA02 ,  4G077BD07 ,  4G077CF10 ,  4G077EA01 ,  4G077ED02 ,  4G077EH07 ,  4G077EH09 ,  4G077HA01 ,  4G077PF55 ,  4G077PJ02