特許

J-GLOBAL ID：200903027846564498

半導体発光装置の製造方法

発明者： 竹内 辰也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-155498
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175606
出願日： 1992年06月16日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 半導体発光装置の製造方法に関し,活性層をバイパスする洩れ電流を阻止する埋込み層を形成する方法の提供を目的とする。【構成】 一導電型化合物半導体(100)基板1上に活性層2,反対導電型クラッド層3をこの順に形成する工程と,クラッド層3上に選択成長用マスク4を形成し,選択成長用マスク4をマスクにしてクラッド層3,活性層2,基板1をエッチングし,クラッド層3の側面がほぼ(011)面であるメサを形成する工程と,一導電型不純物と反対導電型不純物を同時に含む化合物半導体原料ガスを供給して,(100)基板1上に反対導電型埋込み層5を成長させ,かつクラッド層3の(011)側面上に一導電型埋込み層6を成長させる工程とを有するように,また,少なくとも一導電型埋込み層6に現れる(111)面が埋まり始める前に反対導電型不純物の供給を停止し,反対電型埋込み層5上に一導電型埋込み層7を成長させる工程とを含むように構成する。

請求項（抜粋）：

一導電型化合物半導体(100)基板(1) 上に活性層(2) ,反対導電型クラッド層(3) をこの順に形成する工程と,該反対導電型クラッド層(3) 上に選択成長用マスク(4) を形成し,該選択成長用マスク(4) をマスクにして該反対導電型クラッド層(3) ,該活性層(2) ,該一導電型化合物半導体(100)基板(1) をエッチングし,該反対導電型クラッド層(3) の側面がほぼ(011)面であるメサを形成する工程と,形成する半導体層への添加効率が面指数に依存する一導電型不純物と反対導電型不純物とを同時に含む化合物半導体原料ガスを供給して,該一導電型化合物半導体(100)基板(1) 上に反対導電型埋め込み層(5) を成長させ,かつ該反対導電型クラッド層(3) の(011)側面上に選択的に第一の一導電型埋め込み層(6) を成長させる工程とを有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。