特許
J-GLOBAL ID:200903027847511550
熱電変換素子およびその製造方法
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
足立 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-092301
公開番号(公開出願番号):特開2005-277343
出願日: 2004年03月26日
公開日(公表日): 2005年10月06日
要約:
【課題】 薄膜状に形成されたFe2VAl系熱電材料を利用して構成された熱電変換素子であって、その熱電性能が十分に高い熱電変換素子と、その製造方法を提供すること。【解決手段】 熱電変換素子1は、基板10の表面上に、厚さ5μmの薄膜状のn型熱電材料部11と厚さ5μmの薄膜状のp型熱電材料部12とを形成した構造になっている。n型熱電材料部11はFe50V25Al23.5Si1.5、p型熱電材料部12はFe49.3V24.7Al26により形成され、双方とも500°C以上且つ1000°C以下に加熱された基板10の表面に物理的蒸着技術の一つであるスパッタリングにより形成されている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
p型熱電材料とn型熱電材料とを直列に接続した構造を有する熱電変換素子であって、
前記p型熱電材料および前記n型熱電材料のうち、少なくとも一方がFe2VAl系熱電材料であり、該Fe2VAl系熱電材料が、500°C以上且つ1000°C以下に加熱された基材の表面に物理的蒸着技術により薄膜状に形成されている
ことを特徴とする熱電変換素子。
IPC (4件):
H01L35/34
, H01L35/14
, H01L35/20
, H01L35/32
FI (4件):
H01L35/34
, H01L35/14
, H01L35/20
, H01L35/32
引用特許:
前のページに戻る