特許
J-GLOBAL ID：200903027850964522
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062021
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267161
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 パターン形成方法に関し、若干の手間はかかるものの、起伏が激しい半導体装置の表面に平坦性が極めて優れている下層レジスト膜を形成することができるようにする。【構成】 段差に略等しい膜厚の第一層目レジスト膜1を形成し、低い部分に在るもののみ残して他を除去し、第一層目レジスト膜1を不溶化させ、第二層目レジスト膜2を形成して第一層目レジスト膜1及び第二層目レジスト膜2で平坦な下層レジスト膜とし、下層レジスト膜の第二層目レジスト膜2を不溶化させ、シリコンを含有した中間層レジスト膜であるSOG膜3と上層レジスト膜である第四層目レジスト膜4を形成し、上層レジスト膜をパターニングしてそれをマスクに中間層レジスト膜をパターニングし、パターン化された中間層レジスト膜をマスクにして下層レジスト膜をパターニングするようにしている。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハ上の段差に略等しい膜厚の第一層目レジスト膜を形成してから低い部分に在るもののみ残して他を除去するパターニングを行う工程と、次いで、該第一層目レジスト膜を不溶化させる工程と、次いで、全面に第二層目レジスト膜を形成して該第一層目レジスト膜及び該第二層目レジストで表面が平坦な下層レジスト膜とする工程と、次いで、該下層レジスト膜に於ける該第二層目レジスト膜を不溶化させる工程と、次いで、シリコンを含有した中間層レジスト膜である第三層目レジスト膜を形成してから上層レジスト膜である第四層目レジスト膜を形成する工程と、次いで、該上層レジスト膜を異方性エッチングに依ってパターニングしてから該パターン化された上層レジスト膜をマスクにして該中間層レジスト膜をパターニングする工程と、次いで、該パターン化された中間層レジスト膜をマスクにして該下層レジスト膜をパターニングする工程とが含まれてなることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
H01L 21/30 361 X
, H01L 21/30 361 S
