半導体ウェハーのダイシング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-007360
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198671
出願日： 1992年01月20日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】フルカット法またはセミフルカット法のダイシングを行うときに、ウェハーに貼付したシートを保持するためのフレームを不要としたダイシング方法を提供する。【構成】被加工ウェハー4は裏面研削によってその厚みは400〜500μmに仕上げられている。被加工ウェハー4の裏面には、ポリ塩化ビニール製またはポリエチレン製のシート5が貼付されている。このシートは被加工ウェハー4の裏面形状と実質的に同一の形状をしている。被加工ウェハー4の周縁部(たとえば外周から2cmの範囲)には切削溝を形成せず、それより内側の領域(中央から約8cmの範囲)にのみ従来と同様のフルカット法による素子間の切削溝形成を行う。この場合の切削溝の深さは図1(b)の破線6に示すようになる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハーの裏面に前記裏面と実質的に同一形状のシートを貼付する工程と、前記半導体ウェハーの外周から一定距離内にある領域を除き、前記半導体ウェハーの表面から、少なくとも前記半導体ウェハーの厚みの半分以上の深さのダイシング溝を形成する工程とを有する半導体ウェハーのダイシング方法。

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