特許
J-GLOBAL ID：200903027859450459
基板表面の酸化膜の除去方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
間宮 武雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235403
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047741
出願日： 1991年08月20日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 基板表面の酸化膜を除去する場合に、実用的なエッチングレートを確保しながら、エッチング処理に伴うパーティクルの生成自体を抑制し、半導体デバイスの品質向上を図る。【構成】 エッチング工程に先立ち、ホットプレート加熱、赤外線照射、紫外線照射、熱風乾燥などによってシリコンウエハを十分に乾燥させて基板表面の乾き度を向上させる。表面が十分に乾燥したシリコンウエハに対しフッ化水素とアルコールとの混合ベーパーを供給してウエハ表面をエッチング処理する。
請求項（抜粋）：
液滴が除去された後の基板表面の乾き度を向上させるために基板を十分に乾燥させる工程と、表面が十分に乾燥した基板に対しフッ化水素とアルコールとの混合ベーパーを供給して基板表面をエッチングする工程とからなる、基板表面の酸化膜の除去方法。
IPC (2件)：
H01L 21/308
, H01L 21/306
