特許

J-GLOBAL ID：200903027861589510

半導体装置の製造方法

発明者： 高木 幹夫
出願人/特許権者： 株式会社エフティーエル
代理人 (1件)： 村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-301081
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133606
出願日： 1998年10月22日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置のCVD,アニールなどの熱処理を行う際にウェーハは昇温中には周縁が、降温中には中心が高温になる。この高温部と低温部の温度差は昇温・降温速度が大きくなると、大きくなり12インチウェーハで5〜7°C以上になるとスリップが発生する。本発明はスリップを発生させずに昇温・降温速度を高める。【解決手段】 ウェーハ7を最高温度が800°C以下の温度区間を昇温(降温)する過程で、ウェーハ7を回転させるとともに、ウェーハの温度よりも高い(低い)温度を有しかつウェーハ7に対し実質的に非反応性の加熱(冷却)ガスを、ウェーハ7端縁近傍位置16aからそれぞれのウェーハ7に向かって噴出する。

請求項（抜粋）：

間隙を置いて上下に配列された複数枚の半導体シリコンウェーハを反応管内で上下方向に移動可能にかつ実質的にウェーハ全面が露出されるように支持し、前記半導体シリコンウェーハを昇温し、熱処理温度に保持しかつ少なくとも熱処理過程では半導体シリコンウェーハを反応管軸を中心として回転させ、その後冷却する半導体装置の製造方法において、前記半導体シリコンウェーハを最高温度が800°C以下の温度区間を昇温する昇温過程の少なくとも一部において、前記半導体シリコンウェーハを回転させるとともに、該半導体シリコンウェーハの温度よりも高い温度を有しかつ該半導体シリコンウェーハに対し実質的に非反応性の加熱ガスを、該半導体シリコンウェーハの端縁近傍位置からそれぞれの半導体シリコンウェーハに向かって噴出することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/22 511 R ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324 R

Fターム (28件)：

5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045BB08 ,  5F045BB13 ,  5F045DP19 ,  5F045EC02 ,  5F045EC09 ,  5F045EE04 ,  5F045EE14 ,  5F045EF03 ,  5F045EF04 ,  5F045EF15 ,  5F045EK06 ,  5F045EK22 ,  5F045EM02 ,  5F045EM09