特許
J-GLOBAL ID：200903027866135496
半導体発光素子およびその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-202480
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064913
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：
【要約】【目的】 格子定数の不一致や熱膨張係数の相違に基づく結晶欠陥や転位の発生を極力抑え、かつ、劈開することができる半導体発光素子およびその製法を提供する。【構成】 (a)単結晶シリコン基板1上に形成される絶縁膜2、(b)前記絶縁膜上に成膜されるチッ化ガリウム系化合物半導体層3、4、および(c)前記チッ化ガリウム系化合物半導体層4上に続けて成長され、少なくともn型層およびp型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体単結晶層5、6、7を有する。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコン基板、該単結晶シリコン基板上に形成された絶縁膜および該絶縁膜上に積層されたチッ化ガリウム系化合物半導体層を構成要素とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
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