特許

J-GLOBAL ID：200903027870772310

パターン形成方法

発明者： 尾崎 陽平 ,  小林 祐二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-129895
公開番号（公開出願番号）：特開2002-328476
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 密なパターン形成領域と疎なパターン形成領域が同一基板上に混在する場合において、いずれのレジストパターン形成領域に対しても、良好な形状のレジストパターンの形成を可能にする。【解決手段】 光酸発生剤を含有する反射防止膜を下地層として用いた化学増幅型レジストのパターニング方法において、疎なパターンを形成する領域の反射防止膜に対しあらかじめアルカリ処理を行う。パターンの疎密による部分的なパターンの裾引きやアンダーカットの発生を抑制し、パターンの疎密にかかわらず精度の高いレジストのパターニングが可能になる。

請求項（抜粋）：

パターニングを行う薄膜上に、第1のレジストの露光波長に対し反射防止機能を有する反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜表面を選択的にアルカリ処理する工程と、該アルカリ処理後の前記反射防止膜表面に前記第1のレジスト膜をコーティングする工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 574 ,  H01L 21/30 563

Fターム (20件)：

2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025DA34 ,  2H025FA17 ,  5F046HA07 ,  5F046JA04 ,  5F046JA22 ,  5F046LA01 ,  5F046LA14 ,  5F046LA18 ,  5F046PA03 ,  5F046PA07 ,  5F046PA19