特許
J-GLOBAL ID：200903027875337425
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-189107
公開番号（公開出願番号）：特開平5-037020
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【構成】 カルコゲナイド結晶のn型領域に少くともインジウム層とこのインジウム層に積層した金層または白金層を含み形成したことを特徴とする。【効果】 n型カルコゲナイド結晶に対する量産性に優れ、接触抵抗の低い、加工性に優れたオーム性電極を再現性、制御性良く形成可能とすることを目的とする。
請求項（抜粋）：
II族カルコゲナイド結晶のn型領域と、この表面に形成された少くともインジウムを含有する第1の層及び、この第1の層に積層した少くとも金または白金を含有する第2の層から形成されたオーム性電極とを具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 29/22
, H01L 29/46
