特許

J-GLOBAL ID：200903027884725101

プラズマ処理方法及び装置

発明者： 齋藤 光央 ,  木村 忠司 ,  奥村 智洋 ,  矢代 陽一郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-133423
公開番号（公開出願番号）：特開2004-084062
出願日： 2003年05月12日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】マイクロプラズマによるマスクレスのパターニング加工において、パターニング形状を制御できるプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】被処理膜3の近傍に配置したマイクロプラズマ源1のプラズマ放出口からシート状のマイクロプラズマ2を放出させ、被処理膜3とマイクロプラズマ源1を相対的に走査させてパターニング加工を行なうに際し、被処理膜3の表面に対してマイクロプラズマ源1のプラズマ放出口面1aを角度θだけ傾斜させて走査して加工する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

マイクロプラズマ源のプラズマ放出口からマイクロプラズマを放出させ、前記マイクロプラズマ中の活性粒子を被処理物に吹きつけながら前記被処理物と前記マイクロプラズマ源とを相対的に走査させてパターニング加工を行なうプラズマ処理方法であって、被処理物の表面に対してマイクロプラズマ源のプラズマ放出口面を角度θだけ傾斜させて加工することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

C23F4/00 ,  B01J19/08 ,  H05H1/46

FI (4件)：

C23F4/00 A ,  B01J19/08 H ,  H05H1/46 B ,  H05H1/46 M

Fターム (29件)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BA05 ,  4G075CA47 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075ED20 ,  4G075EE07 ,  4K057DA11 ,  4K057DA12 ,  4K057DA16 ,  4K057DB08 ,  4K057DC10 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DE11 ,  4K057DE14 ,  4K057DE15 ,  4K057DG16 ,  4K057DG20 ,  4K057DK03 ,  4K057DM06 ,  4K057DM32 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01