特許
J-GLOBAL ID:200903027884776059
半導体装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高田 守 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-248616
公開番号(公開出願番号):特開平5-089680
出願日: 1991年09月27日
公開日(公表日): 1993年04月09日
要約:
【要約】【構成】 TTLレベルの信号であるチップ選択入力14を、チップセレクトバッファ(CSバッファ)を介さずに直接、MOSレベルの信号で動作するアドレスバッファ2、5のトランジスタP1、N1へ加える。トランジスタP1、N1のしきい値電圧はTTLレベルの信号で動作するように調整されて製造されている。【効果】 CSバッファの遅延時間による遅れなしで、チップ選択信号がアドレスバッファに入力するので、アクセスタイム(CSアクセスタイム)を速くする効果がある。
請求項(抜粋):
以下の要素を有する半導体装置(a)所定のレベルを有する第1の信号を入力する信号ピン、(b)上記信号ピンに接続され、信号ピンからの第1の信号で動作するトランジスタ。(c)上記トランジスタにより制御されるとともに、第1の信号のレベルとは異なるレベルの第2の信号で動作する信号回路。
IPC (5件):
G11C 11/41
, H01L 27/10 371
, H01L 21/331
, H01L 29/73
, H03K 19/0185
FI (3件):
G11C 11/34 301 F
, H01L 29/72
, H03K 19/00 101 D
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