半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-248616
公開番号（公開出願番号）：特開平5-089680
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【構成】 TTLレベルの信号であるチップ選択入力14を、チップセレクトバッファ(CSバッファ)を介さずに直接、MOSレベルの信号で動作するアドレスバッファ2、5のトランジスタP1、N1へ加える。トランジスタP1、N1のしきい値電圧はTTLレベルの信号で動作するように調整されて製造されている。【効果】 CSバッファの遅延時間による遅れなしで、チップ選択信号がアドレスバッファに入力するので、アクセスタイム(CSアクセスタイム)を速くする効果がある。

請求項（抜粋）：

以下の要素を有する半導体装置(a)所定のレベルを有する第1の信号を入力する信号ピン、(b)上記信号ピンに接続され、信号ピンからの第1の信号で動作するトランジスタ。(c)上記トランジスタにより制御されるとともに、第1の信号のレベルとは異なるレベルの第2の信号で動作する信号回路。

IPC (5件)：

G11C 11/41 , H01L 27/10 371 , H01L 21/331 , H01L 29/73 , H03K 19/0185

FI (3件)：

G11C 11/34 301 F , H01L 29/72 , H03K 19/00 101 D

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