特許
J-GLOBAL ID：200903027885548076
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-233178
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097502
出願日： 1994年09月28日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：
【要約】【目的】 GaN系化合物半導体からなる半導体レーザの設計上、発振光のノイズ、横方向の光の広がり、キンクおよび縦モードの制御が行われやすい構造を提供する。【構成】 チッ化ガリウム系化合物半導体からなる活性層が該活性層4よりバンドギャップエネルギーが大きいチッ化ガリウム系化合物半導体からなる上部および下部クラッド層3、5、7により挟持されてなる半導体レーザであって、前記上部または下部クラッド層の少なくとも一方の層中に前記活性層で発生せられる光を吸収する材料で、かつ、チッ化ガリウム系化合物半導体とは異なる半導体からなり、ストライプ溝が形成された電流阻止層6が設けられている。
請求項（抜粋）：
チッ化ガリウム系化合物半導体からなる活性層が該活性層よりバンドギャップエネルギーが大きいチッ化ガリウム系化合物半導体からなる上部および下部クラッド層により挟持されてなる半導体レーザであって、前記上部または下部クラッド層の少なくとも一方の層中に前記活性層で発生せられる光を吸収する材料で、かつ、チッ化ガリウム系化合物半導体とは異なる半導体からなり、ストライプ溝が形成された電流阻止層が設けられてなる半導体レーザ。
引用特許：
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