特許
J-GLOBAL ID：200903027893140264
多結晶セラミックス磁性体材料とその製造方法およびこれを用いた非可逆回路素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-034742
公開番号（公開出願番号）：特開平10-233308
出願日： 1997年02月19日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】 低損失のマイクロ波用磁性体材料や高周波回路素子に使用されるような強磁性体材料に関し、YIG焼結体が空気中焼成によっても、強磁性共鳴半値幅と誘電損失との双方がいずれも低く、且つ特性調整のための組成置換を行っても、同じ温度で焼成可能とする多結晶セラミックス磁性体材料とその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明は、YIG構造を有し、主相には、イオン半径0.1nm未満の2価金属イオン、好ましくはCuイオンを、酸化物換算で0.02〜0.5重量%の範囲内で含んだ多結晶セラミックス磁性体材料とする。特に、主相がY以外の希土類金属の一種類以上を含みFeの一部をAlまたはGaよりで置換されたものを採用でき、焼成温度が1420°C〜1500°Cの低温の広い範囲で、空気中で焼成可能とされ、特に、非可逆回路素子用の強磁性体材料とされる。
請求項（抜粋）：
ガーネット型構造を有し、少なくともYとFeとOを含む相を主相とし、6配位時のイオン半径が0.1nm未満の2価金属イオンを、酸化物換算で0.02〜0.5重量%含むことを特徴とする多結晶セラミックス磁性体材料。
IPC (5件)：
H01F 1/34
, H01P 1/32
, H01P 1/38
, H01P 1/383
, H01P 1/387
H01F 1/34 J
, H01P 1/32
, H01P 1/38
, H01P 1/383 A
, H01P 1/387
